HCPV解決方案說明
 
　　1:追日系統(tǒng):

　　無論何種系統(tǒng)皆可使用追日系統(tǒng)，使其產(chǎn)出度數(shù)提升。

　　以SILICON 而言，加裝追日系統(tǒng)，可使每日產(chǎn)出瓦數(shù)增加約25%。

　　以GaAs而言，加裝追日系統(tǒng)可使每日產(chǎn)出瓦數(shù)增加約100%。

　　注：因?yàn)閱味嗑Ч栊时容^低，相對(duì)所需要的支架、配電材料土建及工資都會(huì)兩倍增加
并且因長時(shí)間追日會(huì)使硅晶體本身接受更多的紫外線及更高的溫度產(chǎn)生，其風(fēng)險(xiǎn)需評(píng)估。
另面板面積會(huì)更大(同一輸出瓦數(shù)時(shí))，故其抗風(fēng)性會(huì)較差。

　　2:聚焦:

　　用鏡片將太陽光聚焦為500倍，使其使用太陽能芯片面積減少，至原來之500分之一。
但因單多晶硅及薄膜式太陽能芯片材料本身無法承受高聚焦所產(chǎn)生的高溫，故無法利用此技術(shù)

　　3:高效能芯片:

　　無論是在silicon 材質(zhì)，或是GaAs材質(zhì)本身，利用制程及其它磊晶技術(shù)，將其光電轉(zhuǎn)換效率提高，

　　以此來增加產(chǎn)出效益。

　　單多晶硅系統(tǒng)與高聚光型比較

　　單多晶硅       高聚光型

　　1:轉(zhuǎn)換效率    14-18%   39%

　　2:工作溫度

　　適合在攝氏40度以下超過會(huì)有效率損耗現(xiàn)象，恢復(fù)常溫仍無法恢復(fù)效率。超過攝氏65度，將會(huì)發(fā)生硅芯片永久性損壞 

      適合于攝氏110度以內(nèi)

　　超過會(huì)有效率損耗現(xiàn)象，恢復(fù)常溫后即可恢復(fù)效率

　　3:所需散熱技術(shù)    因轉(zhuǎn)換效率低，大部分光能轉(zhuǎn)為熱能，故需高散熱技術(shù)

　　4:所需原料    硅原料需求較大，原料資源須注意短缺現(xiàn)象    原料需求低

　　5:單位面積效率    70watt/㎡       147watt/㎡

　　6:地表利用性低(地面土壤無法再行利用)高(地面土壤除水泥基座外，皆可利用)

　　7:日集光時(shí)間 4小時(shí)/天，以甘肅地區(qū)而言       8小時(shí)/天，以甘肅地區(qū)而言。

　　8:日單位面積發(fā)電量    70watt * 4=280watt/day 147w * 8=1,176watt/day