☆ 芯片采用美國(guó)Microchip微處理器控制，主電路采用日本三菱IGBT/德國(guó)IXYS MOSFET
☆ 輸出純正正弦波，瞬態(tài)響應(yīng)好、波形失真小、逆變效率高、輸出電壓穩(wěn)定、具有***的EMI指標(biāo)
☆ 具有直流輸入過(guò)、欠壓保護(hù)、極性接反保護(hù)、交流輸出過(guò)功率、短路保護(hù)、機(jī)內(nèi)過(guò)熱保護(hù)等一保護(hù)措施
☆ 高可靠性、高效率、抗振動(dòng)
| 型號(hào) | GN-0.3KBSL-00W | |
| 額定容量（可選項(xiàng)） | 0.3（KVA） | |
| 直 流 輸 入 | 額定電壓 | 12.0（VDC） |
| 欠壓點(diǎn) | 10.8（VDC） | |
| 欠壓恢復(fù)點(diǎn) | 12.6（VDC） | |
| 過(guò)壓點(diǎn) | 17.0（VDC） | |
| 過(guò)壓恢復(fù) | 16.0（VDC） | |
| 交 流 輸 出 | 額定電壓 | 220（VAC） |
| 額定頻率 | 50（Hz） | |
| 輸出波形 | 正弦波 | |
| 過(guò)載能力 | 120% 1分鐘 | |
| 電壓穩(wěn)定精度 | 220±3%（AC） | |
| 頻率穩(wěn)定精度 | 50±0.04（Hz） | |
| 波形失真率 | ≤3℅（線(xiàn)性負(fù)載）(THD) | |
| 動(dòng)態(tài)響應(yīng) (0～100%) | 5% | |
| 逆變效率 | ≥75% | |
| 峰值系數(shù) | 3:1（CF） | |
| 連續(xù)運(yùn)行時(shí)間 | 可連續(xù)運(yùn)行 | |
| 顯示方式 | 液晶顯示 | |
| 顯示內(nèi)容 | 蓄電池電壓、蓄電池電量、輸出電壓、輸出電流 | |
| 通訊接口 | 無(wú) | |
| 防雷裝置 | 無(wú) | |
| 保護(hù)功能 | 直流輸入過(guò)、欠壓保護(hù)、極性接反保護(hù)、交流輸出過(guò)功率、短路保護(hù)、機(jī)內(nèi)過(guò)熱保護(hù)等。 OL：過(guò)載標(biāo)志，提醒用戶(hù)輸出功率過(guò)大。 SL：輸出短路故障標(biāo)志，提醒用戶(hù)輸出有短路故障。 LU: 蓄電池欠壓標(biāo)志，提醒用戶(hù)蓄電池電壓過(guò)低。 HU: 蓄電池過(guò)壓標(biāo)志，提醒用戶(hù)蓄電池電壓過(guò)高。 | |
| 參考外觀尺寸 | 深×寬×高=400×330×166（mm） | |
| 參考包裝尺寸 | 深×寬×高=490×428×250（mm） | |
| 參考重量 | 17（Kg） | |
| 防護(hù)等級(jí) | IP20 | |
| 環(huán) 境 | 噪音 | ≤50(dB、1米) |
| 使用環(huán)境溫度 | －10～＋40(℃) | |
| 儲(chǔ)存環(huán)境溫度 | -25～+55(℃) | |
| 使用環(huán)境濕度 | 0~95%（不結(jié)露） | |
| 使用海拔 | ≤5000（m） | |
